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电场对FOTS自组装分子膜/SiO_2界面作用特性的影响
引用本文:刘硕,连峰,张会臣.电场对FOTS自组装分子膜/SiO_2界面作用特性的影响[J].大连海事大学学报(自然科学版),2011(2).
作者姓名:刘硕  连峰  张会臣
作者单位:大连海事大学交通与物流工程学院;
基金项目:辽宁省高校重点实验室项目(2008S029)
摘    要:为研究电场对自组装分子膜摩擦学特性的影响,采用分子动力学模拟软件Materials Studio5.0计算不同电场强度和作用方向下FOTS自组装分子膜与SiO2基底的界面结合能.结果表明:当电场强度小于3.0×108V/m时,施加正负方向电场,界面结合能均增大,而施加正电场的界面结合能增大较多,但在正负方向电场作用下界面结合能随着场强的增加变化幅度较小.对FOTS与SiO2基底相互作用能的分析得知,影响体系结合能的主要因素是两者之间的范德华力,其中色散力起主要作用.

关 键 词:FOTS  SiO2基底  结合能  分子动力学模拟  

Interfacial contact characteristics between FOTS SAMs and SiO_2 under electric field
LIU Shuo,LIAN Feng,ZHANG Huichen.Interfacial contact characteristics between FOTS SAMs and SiO_2 under electric field[J].Journal of Dalian Maritime University,2011(2).
Authors:LIU Shuo  LIAN Feng  ZHANG Huichen
Institution:LIU Shuo,LIAN Feng,ZHANG Huichen(Transportation and Logistics Engineering College,Dalian Maritime University,Dalian 116026,China)
Abstract:
Keywords:FOTS  SiO2 substrate  binding energy  molecular dynamics simulation  
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
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