| 多晶黑硅的制备及其组织性能 |
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| 引用本文： | 刘邦武,夏洋,刘杰,李超波.多晶黑硅的制备及其组织性能[J].北京科技大学学报,2011,33(5):619-622. |
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| 作者姓名： | 刘邦武 夏洋 刘杰 李超波 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京,100029 |
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| 摘 要： | 利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF6和O2流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.
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| 关 键 词： | 黑硅 等离子体浸没离子注入 组织 光吸收率 |
Fabrication and characterization of black polycrystalline silicon |
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| LIU Bang-wu,XIA Yang,LIU Jie,LI Chao-bo.Fabrication and characterization of black polycrystalline silicon[J].Journal of University of Science and Technology Beijing,2011,33(5):619-622. |
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| Authors: | LIU Bang-wu XIA Yang LIU Jie LI Chao-bo |
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| Institution: | Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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