| 射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响 |
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| 引用本文： | 毛旭,李宏宁,杨明光,周祯来,杨宇.射频溅射中氩气压强对Ge/Si多层膜的影响[J].云南大学学报(自然科学版),1999,21(1):23-26. |
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| 作者姓名： | 毛旭 李宏宁 杨明光 周祯来 杨宇 |
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| 作者单位： | 1. 云南大学物理系
2. 云南大学成人教育学院,昆明,650091 |
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| 基金项目： | 云南省应用基础研究基金 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射制备了一系列Ｇｅ／Ｓｉ多层膜，采用Ｘ射线小角衍射测量了不同溅射压强下制备的样品，计算出了多层膜的周期．通过计算机模拟实验曲线确定出了Ｇｅ和Ｓｉ的分层厚度，计算出了不同压强下的溅射速率．实验和计算机模拟都表明了在衬底温度为５９０℃、溅射功率为１５０Ｗ的溅射条件下１．５～２．５Ｐａ氩气压强时制备出的样品周期性、均匀性和平整性都比其它压强下制备的样品好．
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| 关 键 词： | 溅射 Ge／Si多层膜 Ar气压强 |
| 文章编号： | 0258-7971(1999)01-0023-26 |
| 修稿时间： | :1998-10-2 |
The Effects of Ar Pressure on Ge/Si Multilayers by Rf Sputtering |
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| MAO Xu,LI Hongning,YANG Mingguang,ZHOU Zhenlai,YANG Yu.The Effects of Ar Pressure on Ge/Si Multilayers by Rf Sputtering[J].Journal of Yunnan University(Natural Sciences),1999,21(1):23-26. |
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| Authors: | MAO Xu LI Hongning YANG Mingguang ZHOU Zhenlai YANG Yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sputtering Ge/Si multilayer Ar pressure |
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