|
|||||
|
|
| Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算 | |
| 引用本文： | 苏蓉,李娜,张佳佳,李晓琴,赵辉.Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算[J].天津师范大学学报(自然科学版),2019(2). |
| 作者姓名： | 苏蓉 李娜 张佳佳 李晓琴 赵辉 |
| 作者单位： | 天津师范大学物理与材料科学学院 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |