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氧氩比对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响
引用本文:高倩,黄美东,王小龙,张建鹏,王萌萌,陈泽昊,王宇.氧氩比对Ti掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响[J].天津师范大学学报(自然科学版),2015(2):37-41.
作者姓名:高倩  黄美东  王小龙  张建鹏  王萌萌  陈泽昊  王宇
作者单位:天津师范大学物理与材料科学学院
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61078059)
摘    要:为优化Zn O∶Ti复合薄膜制备工艺,采用射频磁控溅射法在不同氧氩比条件下沉积Zn O∶Ti复合薄膜,得到的样品经由EDS能谱仪检测Ti掺杂质量分数为3%.分别利用台阶仪、扫描电子显微镜、X线衍射仪、分光光度计和霍尔效应仪对样品的沉积速率、微观结构和光电性能进行表征.结果表明:随着氧氩比逐渐增大,薄膜的沉积速率呈现先增加后减小的变化.所有Zn O∶Ti薄膜均为六角纤锌矿结构,具有(002)晶面择优取向;当氧氩比为1∶1时,薄膜样品的表面形貌和结构优于其他样品.经过在空气中500℃的退火处理,薄膜样品的结晶质量明显提高.所有Zn O∶Ti薄膜在可见光区透过率均大于90%.随着氧氩比的增加,薄膜样品的电阻率先减小后增加,当氧氩比为1∶1时,电阻率最小,为6.5×10-4Ω·cm,薄膜的综合性能达到最优.

关 键 词:ZnO∶Ti薄膜  磁控溅射  光电性能  氧氩比

Influence of oxygen/argon ratio on structure and optoelectric properties of ZnO ∶ Ti films
GAO Qian;HUANG Meidong;WANG Xiaolong;ZHANG Jianpeng;WANG Mengmeng;CHEN Zehao;WANG Yu.Influence of oxygen/argon ratio on structure and optoelectric properties of ZnO ∶ Ti films[J].Journal of Tianjin Normal University(Natural Science Edition),2015(2):37-41.
Authors:GAO Qian;HUANG Meidong;WANG Xiaolong;ZHANG Jianpeng;WANG Mengmeng;CHEN Zehao;WANG Yu
Institution:GAO Qian;HUANG Meidong;WANG Xiaolong;ZHANG Jianpeng;WANG Mengmeng;CHEN Zehao;WANG Yu;College of Physics and Materials Science,Tianjin Normal University;
Abstract:
Keywords:
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