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一类非平衡半导体方程的整体弱解
引用本文:孙福芹,李金城,黄春生.一类非平衡半导体方程的整体弱解[J].天津师范大学学报(自然科学版),2002,22(1):38-42.
作者姓名:孙福芹  李金城  黄春生
作者单位:天津职业技术师范学院基础课部,天津,300222
基金项目:国家自然科学基金资助项目 (199710 15 )
摘    要:考虑一类半导体方程的混合初边值问题,在迁移率既不为常数,又不满足速度饱和及初值u0i属于L^2(Ω)的条件下,证明了整体弱解的存在性。

关 键 词:非平衡半导体方程  整体弱解  混合初边值问题  迁移率  速度饱和  Shauder不动点定理
文章编号:1671-1114(2002)01-0038-05
修稿时间:2001年9月10日

Global Weak Solutions to the Nonstationary Semiconductor Equations
SUN Fu qin,LI Jin cheng,HUANG Chun sheng.Global Weak Solutions to the Nonstationary Semiconductor Equations[J].Journal of Tianjin Normal University(Natural Science Edition),2002,22(1):38-42.
Authors:SUN Fu qin  LI Jin cheng  HUANG Chun sheng
Abstract:
Keywords:semiconductor equation  mixed boundary condition  global  weak solution
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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