| InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究 |
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| 引用本文： | 王永晨,赵杰,范懿,武丽.InGaAs/InP量子阱材料生长后置无序技术的研究[J].天津师范大学学报(自然科学版),2000,20(1). |
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| 作者姓名： | 王永晨 赵杰 范懿 武丽 |
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| 作者单位： | 天津师范大学物理系,天津,300074 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!资助项目 ( 698860 0 1 ) |
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| 摘 要： | 研究了氖离子注入诱导 In Ga As/In P量子阱材料带隙变化的规律 .研究结果表明 ,由氖离子注入引起量子阱带隙蓝移 .蓝移的大小与量子阱的宽度 ,阱距表面深度 ,注入离子剂量 ,能量 ,及退火条件有关 .研究所得的参数对设计量子阱集成光器件有重要参考价值
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| 关 键 词： | 量子阱 离子注入 带隙蓝移 |
Study on after Quantum-well Growth Disordering for InGaAs/InP |
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| WANG Yong-chen,ZHAO Jie,FAN Yi,WU Li.Study on after Quantum-well Growth Disordering for InGaAs/InP[J].Journal of Tianjin Normal University(Natural Science Edition),2000,20(1). |
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| Authors: | WANG Yong-chen ZHAO Jie FAN Yi WU Li |
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| Abstract: | The bandgap shift of InGaAs/InP QW structure induced by Ne implantation has been investigated.The result shows that the bandgap blue shift depends on the thickness of quantum wells and the depth of quantum well layer which forms the surface.Also,the blue shift depends on ion dose,energy as well as the annealing condition.It is very useful designing for QW integrated optical devices. |
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| Keywords: | quantum wells ion implantation bandgap blue shift |
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