首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究
引用本文:张昌华,余志强,郎建勋,来国红,李时东.Mg掺杂ZnSe电子结构与光学性质的第一性原理研究[J].湖北民族学院学报(哲学社会科学版),2015,33(1):38-42.
作者姓名:张昌华  余志强  郎建勋  来国红  李时东
作者单位:湖北民族学院电气工程系,湖北恩施,445000
基金项目:湖北省教育厅中青年创新团队项目
摘    要:采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法,结合广义梯度近似,对Mg掺杂闪锌矿Zn Se的MgxZn1-xSe电子结构和光学性质进行了研究.结果表明:MgxZn1-xSe是一种直接带隙半导体,其价带顶主要由Se-4p态电子构成,位置基本保持不变;导带底主要由Se-4s态电子和Zn-4s态电子共同决定,并且随着掺杂浓度的增大向高能区方向移动,其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽,吸收光谱出现蓝移,计算结果与现有文献符合得很好.

关 键 词:第一性原理  硒化锌  电子结构  光学性质

Study on the First-principles of the Electronic Structure and Optical Properties of Mg-doped ZnSe
ZHANG Changhua,YU Zhiqiang,LANG Jianxun,LAI Guohong,LI Shidong.Study on the First-principles of the Electronic Structure and Optical Properties of Mg-doped ZnSe[J].Journal of Hubei Institute for Nationalities(Natural Sciences),2015,33(1):38-42.
Authors:ZHANG Changhua  YU Zhiqiang  LANG Jianxun  LAI Guohong  LI Shidong
Institution:ZHANG Changhua;YU Zhiqiang;LANG Jianxun;LAI Guohong;LI Shidong;Department of Electrical Engineering,Hubei University for Nationalities;
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号