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多孔硅及其应用研究展望
引用本文:王清涛.多孔硅及其应用研究展望[J].辽宁大学学报(自然科学版),2001,28(4):301-304,317.
作者姓名:王清涛
作者单位:曲阜师范大学物理系
基金项目:山东省自然科学基金资助项目 (No .Y98A1 0 0 1 3)
摘    要:介绍了多孔硅的形成机制、光致发光机制,并对多孔硅的应用前景作了展望。

关 键 词:多孔硅  量子线  量子限制效应  形成机制  光致发光机制  Beale耗尽模型  扩散限制模型
文章编号:1000-5846(2001)04-301-04

Porous Silicon and Expectation of Its Application
WANG Qingtao,LI Qingshan.Porous Silicon and Expectation of Its Application[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2001,28(4):301-304,317.
Authors:WANG Qingtao  LI Qingshan
Institution:WANG Qingtao,LI QingshanDepartment of Physics,Qufu Normal University,Qufu 273165,China
Abstract:This paper introduces the formation and photoluminescene mechanisms of porous silicon, and presents the expectation of its future application.
Keywords:porous silicon  quantum wire  quantum confinement effect    
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