|
|||||
|
|
| 杂质能带与外观激活能的减少 | |
| 引用本文： | 刘士毅.杂质能带与外观激活能的减少[J].厦门大学学报(自然科学版),1956(2). |
| 作者姓名： | 刘士毅 |
| 摘 要： | 引论: 利用霍尔系数温度的改变来分析n(或p)型半导体的激活能△E时,通常用杂质能级的摸型,以n型半导体为例,在温度不太高的情形下,激活到导带中的电子密密n与施主密度N_D受主密到N_A间有下列关系。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |