| N~ P常规硅太阳电池退火效应的研究 |
| |
| 引用本文： | 陈昆,刘士毅.N~ P常规硅太阳电池退火效应的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1987(2). |
| |
| 作者姓名： | 陈昆 刘士毅 |
| |
| 作者单位： | 夏门大学物理学系
(陈昆)，夏门大学物理学系(刘士毅) |
| |
| 摘 要： | 研究了扩散成结后的退火处理对N~ 常规硅太阳电池性能的影响,结果表明退火处理能够提高太阳电池的转换效率,550℃左右退火后效率达到峰值;初步认为550℃左右的退火处理可使太阳电池基区和耗尽区内某种“基本”的深能级复合中心密度大幅度减小并使某些“非基本”的深能级复合中心消失,从而可恢复太阳电池基区少子扩散长度,减小耗尽区复合电流密度,提高太阳电池的转换效率。
|
Effects of Post-diffusion Annealing on NP Conventional Silicon Solar Cells |
| |
| Chen Kun Lin Shiyi.Effects of Post-diffusion Annealing on NP Conventional Silicon Solar Cells[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1987(2). |
| |
| Authors: | Chen Kun Lin Shiyi |
| |
| Institution: | Department of Physics |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Effects post-diffusion annealing Silicon solar cells |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
