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| 四元（ALxGa1—x）0／51In0／49P（x=0／29）合金的PLE及极？… | |
| 引用本文： | 吕毅军,高玉琳.四元（ALxGa1—x）0／51In0／49P（x=0／29）合金的PLE及极？…[J].厦门大学学报(自然科学版),2000,39(5):603-607. |
| 作者姓名： | 吕毅军 高玉琳 |
| 摘 要： | 对与ＧａＡｓ晶格匹配的四元合金（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）作了ＰＬＥ及极化ＰＬ谱的测量。进一步探讨有序结构ＡｌＧａＩｎＰ中在５５～８４Ｋ出现的峰值蓝移的温度反常现象的来源。ＰＬＥ谱的测量表明子能带的存在，其能级的差异正好处在高温区激活能内，是引起温度反常现象的原因。通过从１７Ｋ到１１２Ｋ的极化ＰＬ谱测量并未发现价带中г４和г５．６子带的分裂。推测在ＡｌＧａＩｎＰ中，由 |
| 关 键 词： | 四元合金 光学性质 PLE 铝镓铟磷合金 半导体 |
| 修稿时间： | 2000-04-25 |
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