| 半导体形变势及其应变层异质结带阶 |
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| 引用本文： | 李书平,王仁智,郑永梅,蔡淑惠.半导体形变势及其应变层异质结带阶[J].厦门大学学报(自然科学版),1999,38(5):11. |
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| 作者姓名： | 李书平 王仁智 郑永梅 蔡淑惠 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 教育部高校博士点基金,国家自然科学基金,福建省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ、 Ａｌ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ 等应变层异质结在不同应变情况下的价带带阶计算，并证实了该方法的实用性．
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| 关 键 词： | 异质结带阶 平均键能方法 形变势 |
Study of Deformation Potentials and Valence Band Offset of Semiconductor's Strained-layer Heterojunction |
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| Li Shuping,Wang Renzhi,Zheng Yongmei,Cai Shuhui.Study of Deformation Potentials and Valence Band Offset of Semiconductor's Strained-layer Heterojunction[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1999,38(5):11. |
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| Authors: | Li Shuping Wang Renzhi Zheng Yongmei Cai Shuhui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Heterojunction Average bond energy theory Band offset Deformation potential |
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