| 室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 纪安妮,孙书农,柳兆洪,刘瑞堂.室温射频磁控溅射沉积ITO薄膜的研究[J].厦门大学学报(自然科学版),1997,36(2):221-224. |
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| 作者姓名： | 纪安妮 孙书农 柳兆洪 刘瑞堂 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理学系 |
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| 摘 要： | 报道透明导电膜不加衬底温度、无需沉积后的退火工艺、用射频磁控溅射沉积氧化铟、锡（ＩＴＯ）薄膜获得电阻率３×１０－４Ω·ｃｍ，在可见光区平均透光率８４％的优良性能．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射法研究了ＩＴＯ薄膜的结晶形貌和晶体结构
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| 关 键 词： | 磁控溅射，ITO薄膜 |
Properties of Indium Tin Oxide Thin Film Deposited by RF Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| Ji Anni,Sun Shunong,Liu Zhaohong,Liu Ruitang.Properties of Indium Tin Oxide Thin Film Deposited by RF Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].Journal of Xiamen University(Natural Science),1997,36(2):221-224. |
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| Authors: | Ji Anni Sun Shunong Liu Zhaohong Liu Ruitang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering Indium Tin Oxide (ITO) thin film |
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