| ITO退火膜的光学和电学特性 |
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| 引用本文： | 王刚,刘宏宇,赵超,杨柏梁,黄锡珉.ITO退火膜的光学和电学特性[J].吉林大学学报(理学版),1999(4). |
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| 作者姓名： | 王刚 刘宏宇 赵超 杨柏梁 黄锡珉 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心，长春，130021，中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心，长春，130021，吉林大学电子工程系，中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中心，长春，130021，中国科学院长春物理研究所!北方液晶工程研究开发中 |
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| 基金项目： | 中国科学院“九五”重大项目!KY951-A1-502，吉林省科委“九五”科技攻关项目!970103-01 |
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| 摘 要： | 对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理，并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明，N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性，同时使ITO薄膜质量得到优化，并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．
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| 关 键 词： | 直流磁控溅射 ITO薄膜 氧空位 退火处理 退火环境 |
Optical and Electrical Properties of Annealed ITO Films |
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| Wang Gang, Liu Hongyu, Zhao Chao, Yang Bailiang, Huang Ximin.Optical and Electrical Properties of Annealed ITO Films[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1999(4). |
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| Authors: | Wang Gang Liu Hongyu Zhao Chao Yang Bailiang Huang Ximin |
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| Abstract: | In this paper, we investigated the optical and electrical properties of ththnnealed ITo films prepared under different oxygen flow by reactive D. C. magnetron sputtering. The experiment results demonstrate that the optical and electrical properties of ITO films are lnfluenced greatly by annealing environment. Under N, atmosphere, annealing treatment could improve the crystallization of ITO films. On the other hand, the optical and electrical properties of lTO thin films also strongly depend on annealing time and annea1ing temperature. In general, anneaJng treatments can optimize the film properties and improve remarkably the transparency and conductivity of ITO films. |
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| Keywords: | D C magnetron sputtering ITO films oxygen vacancies annealing treatment annealed environment |
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