| CdTe单晶薄膜的热壁外延 |
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| 引用本文： | 杨玉琨,孟庆巨,杨慧,吴连民,赵永生,郑大方.CdTe单晶薄膜的热壁外延[J].吉林大学学报(理学版),1991(1). |
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| 作者姓名： | 杨玉琨 孟庆巨 杨慧 吴连民 赵永生 郑大方 |
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| 作者单位： | 吉林大学分析测试实验中心
(杨玉琨，孟庆巨，杨慧，吴连民，赵永生)，吉林大学分析测试实验中心(郑大方) |
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| 摘 要： | CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg_(1-z)Cd_zTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延(Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE)是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底,从
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| 关 键 词： | CdTe单晶薄膜 热壁外延 SEM电镜 X-射线衍射 荧光光谱 XPS |
CdTe Single Crystal Film Grown by HWE |
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| Yang Yukun,Meng Qingju,Yang Hui,Wu Lianmin,Zhao Yongsheng and Zheng Dafang.CdTe Single Crystal Film Grown by HWE[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,1991(1). |
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| Authors: | Yang Yukun Meng Qingju Yang Hui Wu Lianmin Zhao Yongsheng and Zheng Dafang |
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| Abstract: | The present paper covers a simple HWE apparatus and the technology of using this apparatus to grow CdTe single crystal epilayers on GaAs(100) plane. The analyses of scanning electron microscope, X-ray diffraction and PL spectra show that the epilayer of CdTe single crystal is perfect. The interface between CdTe and GaAs was analysed by XPS. |
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| Keywords: | CdTe single crystal film Hat wall epitaxy SEM X-ray diffraction PL-spectra XPS |
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