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| GaAlAs/GaAs异质结构的低温LPE生长 | |
| 引用本文： | 张国义,施丽娟,刘式墉.GaAlAs/GaAs异质结构的低温LPE生长[J].吉林大学学报(理学版),1986(1). |
| 作者姓名： | 张国义 施丽娟 刘式墉 |
| 作者单位： | 电子科学系半导体光电子学与集成光学研究室 (张国义，施丽娟)，电子科学系半导体光电子学与集成光学研究室(刘式墉) |
| 摘 要： | 本文利用常规液相外延(LPE)设备,研究了700—750℃之间的GaAlAs/GaAs的LPE生长特性。对外延层的表面形貌,生长速率,外延层的纯度和晶体完整性进行了分析和讨论。并将此低温技术应用于电极条形双异质结构(DH)激光器的制备,得到了较低阈值的激光器。 |
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