| S波段高效E类GaN HEMT功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 王彩霞,傅海鹏,成千福.S波段高效E类GaN HEMT功率放大器设计[J].南开大学学报,2020,53(4):32-36. |
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| 作者姓名： | 王彩霞 傅海鹏 成千福 |
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| 作者单位： | 天津大学微电子学院,天津300072;天津大学微电子学院,天津300072;天津大学微电子学院,天津300072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;天津市青年基金 |
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| 摘 要： | 为了解决E类功率放大器最大工作频率(f max )受晶体管输出电容限制的问题,提出了一种新型的E类功率放大器输出匹配电路结构.该结构能够同时实现对晶体管在基波和谐波下的过剩输出电容进行补偿,一方面提升了E类功率放大器在高频工作时的效率,另一方面也降低了电路的复杂度和实现难度.利用所提出的方法,采用GaN HEMT器件,设计并实现了工作在2.5 GHz的E类功率放大器.测试结果表明,其最大功率附加效率(PAE)达到80%,饱和输出功率为40.1 dBm.
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| 关 键 词： | 功率放大器 E类 高效率 寄生补偿 |
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