| CMOS数字集成电路I/O单元设计分析 |
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| 引用本文： | 刘艳艳,耿卫东,代永平,孙钟林.CMOS数字集成电路I/O单元设计分析[J].南开大学学报,2008,41(1):18-22. |
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| 作者姓名： | 刘艳艳 耿卫东 代永平 孙钟林 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金
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天津市科委科研项目 |
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| 摘 要： | 按使用时焊点(PAD)排列方式的不同,CMC)S I/O库可分为两大类:直排式(inline)和交错式(staggered).以双向输入/输出单元为例详细介绍了一般CMOS I/O单元的主要组成部分及设计分析.其主要电路组成部分包括输出电平转换,输入/输出驱动以及静电保护,在工作频率要求较高时还应设计电源噪声抑制模块.电路设计配合一定工艺的spice模型进行仿真,根据仿真结果判断设计正确与否并进行优化.
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| 关 键 词： | I/O库 双向输入/输出 芯核 焊点 CMOS |
| 文章编号： | 0465-7942（2008）01-0018-05 |
| 收稿时间： | 2007-05-07 |
| 修稿时间： | 2007年5月7日 |
Design Analysis of CMOS Digital Integrated Circuit I/O Cell |
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| Liu Yanyan,Geng Weidong,Dai Yongping,Sun Zhonglin.Design Analysis of CMOS Digital Integrated Circuit I/O Cell[J].Acta Scientiarum Naturalium University Nankaiensis,2008,41(1):18-22. |
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| Authors: | Liu Yanyan Geng Weidong Dai Yongping Sun Zhonglin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | I/O library bidirectional core PAD CMOS |
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