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| 一种用于光电标签的高电源抑制比的低压差线性稳压器设计 | |
| 引用本文： | 秦国轩,靳萌萌,毛陆虹.一种用于光电标签的高电源抑制比的低压差线性稳压器设计[J].南开大学学报,2018(1). |
| 作者姓名： | 秦国轩 靳萌萌 毛陆虹 |
| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院; |
| 摘 要： | 高电源抑制比低压差线性稳压器(LDO)采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺进行流片,电路中采用偏置电流提升技术、偏置复用等技术来降低LDO的功耗.为保证LDO的稳定性,电路采用密勒补偿技术增强系统的相位裕度.同时,采用前馈结构来提高在低静态电流时LDO的瞬态响应.输入电压为光电池所提供的2 V电压,输出电压为1.8 V,该稳压器的最大负载电流约为13 m A.当负载电流为2 m A时,电源抑制比约为-67d B,其带宽在6 k Hz左右.稳压器的静态电流约为32.2μA,芯片面积为320×224μm~2. |
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