| 制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响 |
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| 引用本文： | 吴木营,刘敏霞,李洪涛,杨雷,张伟风.制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响[J].河南大学学报(自然科学版),2012(6):707-711. |
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| 作者姓名： | 吴木营 刘敏霞 李洪涛 杨雷 张伟风 |
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| 作者单位： | 东莞理工学院电子工程学院;河南大学光伏材料重点实验室 |
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| 基金项目： | 东莞市科技计划(高等院校、科研机构研发经费)资助项目(200910814032;2011108102025);东莞理工学院创新人才项目(E3456108) |
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| 摘 要： | 用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件;用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2%的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4Ω.cm的低电阻率和大于90%的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大.
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| 关 键 词： | 工艺条件 导电陶瓷 透明导电氧化物 镓掺杂氧化锌薄膜 射频磁控溅射 |
Effect of Process Conditions on the Transparent Conductive Properties Ga-Doped Thin Films |
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| WU Mu-ying,LIU Min-xia,LI Hong-tao,YANG Lei,ZHANG Wei-feng.Effect of Process Conditions on the Transparent Conductive Properties Ga-Doped Thin Films[J].Journal of Henan University(Natural Science),2012(6):707-711. |
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| Authors: | WU Mu-ying LIU Min-xia LI Hong-tao YANG Lei ZHANG Wei-feng |
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| Institution: | 1.College of Electronic Engineering,Dongguan University of Technology,Guangdong Dongguan 523808,China; 2.Key Laboratory of Photovoltaic Materials,Henan University,Henan Kaifeng 475001,China) |
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| Abstract: | |
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