| 单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光 |
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| 引用本文： | 霍海滨,杨卫全,戴伦,马仁敏,秦国刚.单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p+-Si异质结的紫外电致发光[J].北京大学学报(自然科学版),2008,44(3). |
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| 作者姓名： | 霍海滨 杨卫全 戴伦 马仁敏 秦国刚 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院,北京,100871
2. 北京大学物理学院,北京,100871;介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列.电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001 Ω cm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍.这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线.制备成功单根n-ZnO纳米线/p -Si异质结构并研究了其电致发光特性.室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380 nm)和一个中心位于700 nm 的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰.
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| 关 键 词： | 电致发光 氧化锌纳米线 硅 异质结 |
Ultraviolet Electroluminescence from In Doped n-ZnO Single-Nanowire/p+-Si Heterostructures |
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| HUO Haibin,YANG Weiquan,DAI Lun,MA Renmin,QIN Guogang.Ultraviolet Electroluminescence from In Doped n-ZnO Single-Nanowire/p+-Si Heterostructures[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2008,44(3). |
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| Authors: | HUO Haibin YANG Weiquan DAI Lun MA Renmin QIN Guogang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electroluminescence ZnO single nanowire silicon heterostructure |
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