| UTB结构量子化效应解析模型 |
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| 引用本文： | 王雅科,刘晓彦,韩汝琦.UTB结构量子化效应解析模型[J].北京大学学报(自然科学版),2004,40(3):412-416. |
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| 作者姓名： | 王雅科 刘晓彦 韩汝琦 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871;北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 通过在UTB结构中利用矩形势垒近似求解沟道的薛定谔方程,应用费米统计建立了UTB MOSFET阈值区载流子量子化的一个解析模型.并利用自恰求解薛定谔方程和泊松方程的结果对模型进行了验证,分析了UTB结构中阈值电压随硅膜厚度变化的关系.
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| 关 键 词： | UTB结构 量子化效应 反型层电荷 |
Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device |
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| WANG Yake,LIU Xiaoyan,HAN Ruqi.Quantum-Mechanical Analytical Model of Ultra-Thin Body Device[J].Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis,2004,40(3):412-416. |
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| Authors: | WANG Yake LIU Xiaoyan HAN Ruqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | UTB quantum-mechanical effects inversion layer charge |
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