|
|||||
|
|
| 一种用于16K-SRAM的3μMOS工艺 | |
| 引用本文： | 徐葭生,张宗铭,费圭甫,陈志良.一种用于16K-SRAM的3μMOS工艺[J].清华大学学报(自然科学版),1987(1). |
| 作者姓名： | 徐葭生 张宗铭 费圭甫 陈志良 |
| 作者单位： | 微电子学研究所 (徐葭生，张宗铭，费圭甫)，微电子学研究所(陈志良) |
| 摘 要： | 为研制 ＶＬＳＩ１６Ｋ－ＳＲＡＭ，开发了一种 ３μＮＭＯＳ双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点，例如窄沟效应，浅结欧姆接触，栅氧化层质量等，得到解决。实验证明，这套工艺是可行的，合理的，能够满足研制３μＶＬＳＩ的要求。 |
| 关 键 词： | VLSI 16K-SRAM 3微米工艺 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |