| 基于ΔVGS权重的CMOS恒压源 |
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| 引用本文： | 张洵,王鹏,靳东明.基于ΔVGS权重的CMOS恒压源[J].清华大学学报(自然科学版),2006,46(10):1739-1741. |
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| 作者姓名： | 张洵 王鹏 靳东明 |
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| 作者单位： | 清华大学,微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 针对全CMOS结构制作恒压源方法中存在的功耗过大问题,提出了一种利用CMOS亚阈值特性的恒压源制作方案.该电路基于NMOS和PMOS处于饱和区工作时,两者的栅源电压随温度变化权重不同的原理,将其作相关运算,得到温度系数极低的恒压输出.基于MOS管亚阈值特性产生的电路模块中的偏置电流很小,导致功耗仅50 μW.采用中芯国际0.18 μm数模混合工艺制造了该电压源结构,测试结果显示,在21～110 ℃的温度范围内,电路的温度系数达到了2.5×10-5/℃.当电源电压达到1.4 V以上时,电路就可以正常工作,且其电源电压抑止比为-57 dB.
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| 关 键 词： | 集成电路 恒压源 温度系数 电源电压抑制比 |
| 文章编号： | 1000-0054(2006)10-1739-03 |
| 修稿时间： | 2005年10月21 |
CMOS voltage reference based on weighted ΔVGS |
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| ZHANG Xun,WANG Peng,JIN Dongming.CMOS voltage reference based on weighted ΔVGS[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2006,46(10):1739-1741. |
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| Authors: | ZHANG Xun WANG Peng JIN Dongming |
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