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Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响
引用本文:方玲,张弓,庄大明,赵明,郑麒麟,丁晓峰,吴敏生.Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响[J].清华大学学报(自然科学版),2004,44(5):593-596.
作者姓名:方玲  张弓  庄大明  赵明  郑麒麟  丁晓峰  吴敏生
作者单位:清华大学,机械工程系,北京,100084
基金项目:国家教育振兴计划资助项目
摘    要:为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。

关 键 词:太阳能电池  Cu-In薄膜  CuInSe2(CIS)薄膜  固态硒化  磁控溅射
文章编号:1000-0054(2004)05-0593-04
修稿时间:2003年8月26日

Effects of composition segregation in Cu-In precursor films on microstructures of CIS films
FANG Ling,ZHANG Gong,ZHUANG Daming,ZHAO Ming,ZHENG Qilin,DING Xiaofeng,WU Minsheng.Effects of composition segregation in Cu-In precursor films on microstructures of CIS films[J].Journal of Tsinghua University(Science and Technology),2004,44(5):593-596.
Authors:FANG Ling  ZHANG Gong  ZHUANG Daming  ZHAO Ming  ZHENG Qilin  DING Xiaofeng  WU Minsheng
Abstract:
Keywords:solar cell  Cu-In precursor film  CIS thin film  selenization  magnetron sputtering
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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