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| 拓扑绝缘体Bi_2Te_3薄膜电子结构第一性原理研究 | |
| 作者单位： | ;1.陕西师范大学物理学与信息技术学院 |
| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论第一性原理从头计算的MedeA-VASP软件包,在计算电子结构时考虑自旋轨道耦合作用的情况下,系统地计算了拓扑绝缘体Bi_2Te_3体块及其密排面(0 1 1-5)薄膜从1层到6层的电子结构.通过计算发现,Bi_2Te_3体块是带隙为0.146eV的半导体,随着薄膜层数的逐渐递增,Bi_2Te_3密排面(0 1 1-5)薄膜出现了无能隙的拓扑表面态,这一结果与Bi_2Te_3(111)面的结果一致. |
| 关 键 词： | 第一性原理 电子结构 拓扑绝缘体 拓扑表面态 |
First-principles Studies of Topological Insulator Bi_2Te_3 Nanosheets |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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