| 一种CMOS基准电压源的设计 |
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| 引用本文： | 陈海燕,曹文,胡莉.一种CMOS基准电压源的设计[J].西南科技大学学报,2007,22(2):66-69. |
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| 作者姓名： | 陈海燕 曹文 胡莉 |
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| 作者单位： | 西南科技大学信息工程学院,四川绵阳,621010 |
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| 摘 要： | 设计了一种基于CMOS工艺的带隙基准电压源。该基准电压源采用MOS管电流镜技术补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流,采用共源共栅电流源作为负载,具有结构简单、低温漂、高电源抑制比特性。仿真结果表明,在VDD=5 V时,该电路具有6.5×10-6V/℃的温度特性和52 dB的电源抑制比。经流片测试,其性能良好,已应用到光通信用跨阻放大器中。
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| 关 键 词： | CMOS 带隙基准电压源 模拟电路 |
| 文章编号： | 1671-8755（2007）02-0066-04 |
| 修稿时间： | 2006-11-09 |
Design of a Band-gap Voltage Reference Source Based on CMOS Process |
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| CHEN Hai-yan,CAO Wen,HU Li.Design of a Band-gap Voltage Reference Source Based on CMOS Process[J].Journal of Southwest University of Science and Technology,2007,22(2):66-69. |
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| Authors: | CHEN Hai-yan CAO Wen HU Li |
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| Institution: | School of Information Engineering, Southwest University of Science and Technology, Mianyang 621010, Sichuan, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS band-gap voltage reference source analog circuit |
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