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梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征
引用本文:周建,谢岩,王德义,刘桂珍,李河.梯度掺杂AZO薄膜的制备及其性能表征[J].西南科技大学学报,2010,25(3).
作者姓名:周建  谢岩  王德义  刘桂珍  李河
作者单位:武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,湖北武汉,430070
基金项目:教育部新世纪人才计划 
摘    要:采用Sol-Gel法,以不同铝离子浓度的溶胶梯度掺杂的方法制备了Al掺杂ZnO (AZO) 薄膜,用XRD衍射仪和SEM扫描电镜对该薄膜进行了结构和形貌分析,并对其电学性能和光学性能进行了研究.结果表明,梯度掺杂的AZO薄膜比单一浓度掺杂5.0 at%(原子数百分比)的薄膜具有更明显的c轴择优取向,更强的本征紫外发光峰和近紫外发光峰.当薄膜的退火温度在500~650 ℃区间时,薄膜电阻率稳定在10-2 Ω·cm,高于700 ℃时,薄膜电阻率明显升高.

关 键 词:AZO薄膜  梯度掺杂  Sol-Gel法

Preparation and Properties of Gradient Doped AZO Thin Films
ZHOU Jian,XIE Yan,WANG De-yi,LIU Gui-zhen,LI He.Preparation and Properties of Gradient Doped AZO Thin Films[J].Journal of Southwest University of Science and Technology,2010,25(3).
Authors:ZHOU Jian  XIE Yan  WANG De-yi  LIU Gui-zhen  LI He
Institution:ZHOU Jian,XIE Yan,WANG De-yi,LIU Gui-zhen,LI He(Wuhan University of Technology,State Key Laboratory of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing,Wuhan 430070,Hubei,China)
Abstract:
Keywords:AZO thin films  Gradient doped  Sol-Gel methods  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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