| 不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究 |
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| 引用本文： | 李艳芳,李洋,李迎,谭嘉进,方诚.不同杂散光模型对光刻掩膜特征尺寸影响研究[J].东华理工大学学报（自然科学版）,2019,42(1). |
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| 作者姓名： | 李艳芳 李洋 李迎 谭嘉进 方诚 |
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| 作者单位： | 东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心,江西南昌330013;东华理工大学理学院,江西南昌330013;东华理工大学理学院,江西南昌,330013 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江西省自然科学基金;东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心开放基金;东华理工大学江西省新能源工艺与装备工程技术研究中心开放基金;江西省教育厅青年科学基金;江西省教育厅青年科学基金;江西省教育厅教学改革研究;东华理工大学博士启动基金;东华理工大学博士启动基金 |
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| 摘 要： | 杂散光仿真模型在光刻投影系统应用中具有重要的作用。由于杂散光对光刻掩模特征尺寸CD(Critical Dimension)成像有一定的影响,亟需一种恰当的杂散光成像模型。通过采用PSF_F函数杂散光拟合模型和Kirk杂散光模拟模型,提出了一种改进的考虑杂散光成像的光刻模型。利用改进的杂散光模型研究了在相同杂散光总量下,不同比例中程、远程杂散光对特征尺寸的影响。结果显示,当总杂散光量相同时,仿真分析得出远程杂散光的影响大于中程杂散光,即远程杂散光的比例占的越大,显影后的特征尺寸比实际特征尺寸越小。
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| 关 键 词： | 光刻投影曝光 特征尺寸 杂散光 Kirk模拟模型 PSFF函数拟合模型 |
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