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| 射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨 | |
| 引用本文： | 叶光,林志贤,郭太良.射频磁控溅射二氧化硅薄膜的工艺探讨[J].龙岩学院学报,2002,20(6):44-45. |
| 作者姓名： | 叶光 林志贤 郭太良 |
| 作者单位： | 福州大学信息科学与技术学院 |
| 摘 要： | 介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的温度下制备致密、均匀、重复性好的SiO2薄膜。 |
| 关 键 词： | 磁控溅射 SiO2薄膜 淀积速率 |
| 文章编号： | 1672-044X(2002)06-0044-02 |
| 修稿时间： | 2002年4月9日 |
Deposition of SiO2 Film with Radio Frequency and Magnetron Sputtering |
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