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| 1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布 | |
| 引用本文： | 刘春光,白金昌,刘益春,陈大伟.1.3μm InGaAsP DCC结构半导体激光器的远场分布[J].东北师大学报(自然科学版),1999(1). |
| 作者姓名： | 刘春光 白金昌 刘益春 陈大伟 |
| 作者单位： | 东北师范大学物理系，白求恩医科大学预防医学院 |
| 基金项目： | 吉林省科委基础研究项目 |
| 摘 要： | 采用强耦合方法，计算了ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＤＣＣ双源五层平面波导结构半导体激光器的远场分布，得到了薄夹层厚度与空间发散角的依赖关系．理论计算与实验结果进行了对比，二者具有很好的一致性．分析了ＤＣＣ结构半导体激光器第一有源区的激励作用和第二有源区Ｆ－Ｐ腔标准具的选模作用及双有源区对空间发散角的影响． |
| 关 键 词： | InGaAsP 半导体激光器 双载流子限制 空间发散角 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |