| 反式双氨基四苯基卟啉修饰电极用于汞离子的测定 |
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| 引用本文： | 任海霞,夏梅君,孙晓丹,申琦.反式双氨基四苯基卟啉修饰电极用于汞离子的测定[J].平顶山学院学报,2012(5):47-50. |
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| 作者姓名： | 任海霞 夏梅君 孙晓丹 申琦 |
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| 作者单位： | 郑州大学化学与分子工程学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21175119) |
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| 摘 要： | 采用滴涂法制备了反式双氨基四苯基卟啉修饰电极(trans-d-A-TPP/GCE),并用原子力显微镜(atomic force microscopy)对其进行了表征,用循环伏安法研究了该修饰电极的电化学性质.建立了一种识别汞离子的溶出伏安分析方法,在0.2 mol·L-1NaAc-HAc(pH 3.6)支持介质中,在-0.5 V电位下富集200 s,汞离子响应的线性范围为1.0×10-8mol·L-1～1.0×10-6mol·L-1,检出限1.0×10-9mol·L-1.对实际水样进行了测定,结果满意.
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| 关 键 词： | 卟啉 汞离子 溶出伏安法 修饰电极 |
Study on the Application of Porphyrin Compound as a Voltammetric Sensor of Mercury |
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| REN Hai-xia,XIA Mei-jun,SUN Xiao-dan,SHEN Qi.Study on the Application of Porphyrin Compound as a Voltammetric Sensor of Mercury[J].Journal of Pingdingshan University,2012(5):47-50. |
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| Authors: | REN Hai-xia XIA Mei-jun SUN Xiao-dan SHEN Qi |
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| Institution: | (School of Chemistry and Molecular Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou,Henan 450001,China) |
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