| 正常金属/半导体/d波超导体隧道结中的隧穿谱和散粒噪声 |
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| 引用本文： | 顾连忠,翟利学,许龙飞.正常金属/半导体/d波超导体隧道结中的隧穿谱和散粒噪声[J].河北师范大学学报(自然科学版),2010,34(4). |
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| 作者姓名： | 顾连忠 翟利学 许龙飞 |
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| 作者单位： | 1. 河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016
2. 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071000 |
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| 摘 要： | 利用Blonder-Tinkhanr-Klapwijk(BTK)理论求解了Bogoliubov-de Genner(BDG)方程,再结合Landauer-Büttiker公式,计算正常金属/半导体/d波超导体隧道结系统的隧穿系数,研究了隧穿谱和散粒噪声.在Rashba自旋轨道耦合参数一定的情况下,计算了散粒噪声和隧穿谱随偏压的变化.结果表明,电子入射角度θ和d波超导配对势都可以影响散粒噪声和隧穿谱.研究证明:d波超导体表面有零能束缚态存在;Andreev反射电导可以达到正常隧穿的2倍;散粒噪声被抑制的程度很大;半导体厚度L为3ε0的整数倍与半导体厚度L为非3ε0的整数倍时的散粒噪声和隧穿谱随偏压的变化有明显的区别.
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| 关 键 词： | d 波超导 电导 散粒噪声 |
Transport Propertise and Shot Noise in Normal Metal-semiconductor-d-wave Superconductor Junction |
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| GU Lianzhong,ZHAI Lixue,XU Longfei.Transport Propertise and Shot Noise in Normal Metal-semiconductor-d-wave Superconductor Junction[J].Journal of Hebei Normal University,2010,34(4). |
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| Authors: | GU Lianzhong ZHAI Lixue XU Longfei |
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