| 纳米半导体薄膜的研究进展 |
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| 引用本文： | 林鸿溢,王越.纳米半导体薄膜的研究进展[J].北京理工大学学报,1995,15(2):125-131. |
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| 作者姓名： | 林鸿溢 王越 |
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| 作者单位： | 北京理工大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由两种组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。
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| 关 键 词： | 半导体材料 纳米材料 纳米硅 薄膜 |
Progress in Nanometer Semiconductor Films |
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| Lin Hongyi,Wang Yue.Progress in Nanometer Semiconductor Films[J].Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition),1995,15(2):125-131. |
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| Authors: | Lin Hongyi Wang Yue |
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| Abstract: | Hydrogenated nano -crystalline silicon (nc-Si: AH) films have been prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method under excellently controlled conditions of deposition. The nc-Si: H Films consist of a mass of nanometer scale grains and an interfacial region, i.e. the crystalline phase and the grain boundaries phase. It is especially valuable for some devices for example, quantum function devices and film sensors etc. |
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| Keywords: | semiconductor materials/ nano - crystalline materials nano - Crystalline silicon film quantum function device |
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