| 电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文) |
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| 引用本文： | 张炬,尼尔森本.电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)[J].北京理工大学学报,1990(Z1). |
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| 作者姓名： | 张炬 尼尔森本 |
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| 作者单位： | 北京理工大学应用物理系
(张炬)，瑞典查尔摩斯技术大学(尼尔森本) |
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| 摘 要： | 栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光刻胶等先进技术的应用,获得了亚微米的T型栅,从而改进了场效应管的高频特性。直流测试显示,这种场效应管的跨导高达135ms/mm。
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| 关 键 词： | 场效应晶体管/金属半导体场效应晶体管 亚微米栅长 |
Electron Beam Lithographic Fabrication of Sub - Micron Gate GaAs MESFET ' s |
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| Zhang Ju Nilsson B.Electron Beam Lithographic Fabrication of Sub - Micron Gate GaAs MESFET '''' s[J].Journal of Beijing Institute of Technology(Natural Science Edition),1990(Z1). |
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| Authors: | Zhang Ju Nilsson B |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | field effect transistor / metal - semiconduetor field effect transistor Submicron gate length |
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