| 低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计 |
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| 引用本文： | 张长春,吕超群,郭宇锋,方玉明,陈德媛,李卫.低温度系数高电源抑制比带隙基准源的设计[J].南京邮电大学学报(自然科学版),2013,33(2). |
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| 作者姓名： | 张长春 吕超群 郭宇锋 方玉明 陈德媛 李卫 |
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| 作者单位： | 南京邮电大学电子科学与工程学院功率与射频微电子研究中心,江苏南京,210023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国博士后科学基金，江苏省自然科学基金，毫米波国家重点实验室开放课题，南京邮电大学科研基金 |
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| 摘 要： | 基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种适用于数模或模数转换等模数混合电路的低温度系数、高电源抑制比的带隙基准电压源.针对传统带隙基准源工作电压的限制,设计采用电流模结构使之可工作于低电源电压,且输出基准电压可调；采用共源共栅结构(cascode)作电流源,提高电路的电源抑制比(PSRR)；采用了具有高增益高输出摆幅的常见的两级运放.Cadence仿真结果表明:在1.8V电源电压下,输出基准电压约为534 mV,温度在-25～100℃范围内变化时,温度系数为4.8 ppm/℃,低频电源抑制比为-84 dB,在1.6～2.0 V电源电压变化范围内,电压调整率为0.15 mV/V.
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| 关 键 词： | 带隙基准 温度系数 电源抑制比 运算放大器 |
Design of a Low Temperature Coefficient Bandgap Reference with High PSRR |
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| ZHANG Chang-chun
,
L Chao-qun
,
GUO Yu-feng
,
FANG Yu-ming
,
CHEN De-yuan
,
LI Wei.Design of a Low Temperature Coefficient Bandgap Reference with High PSRR[J].Journal of Nanjing University of Posts and Telecommunications,2013,33(2). |
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| Authors: | ZHANG Chang-chun L Chao-qun GUO Yu-feng FANG Yu-ming CHEN De-yuan LI Wei |
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| Institution: | ZHANG Chang-chun
,
L(U) Chao-qun
,
GUO Yu-feng
,
FANG Yu-ming
,
CHEN De-yuan
,
LI Wei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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