| 掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨 |
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| 引用本文： | 沈岳年,刘文生,刘淑萍,胡瑞生,秦继卫.掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2003,34(1):29-32. |
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| 作者姓名： | 沈岳年 刘文生 刘淑萍 胡瑞生 秦继卫 |
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| 作者单位： | 1. 内蒙古大学化学化工学院,内蒙古,呼和浩特,010021
2. 内蒙古大学理工学院,内蒙古,呼和浩特,010021 |
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| 摘 要： | 以石英管作为衬底材料以SnCl4,SbCl3的混合乙醇溶液作为喷涂液，在600－620℃高温下用化学热喷涂法在石英管表面制作SnO2电热膜，工艺实践表明：30min是最佳喷涂时间，可获得最高功率密度25W／cm^2，喷涂时间过短，SnO2膜过薄而功率小，喷涂时间大于30min，由于“硅扩散”破坏SnO2的能级简并结构，不仅导电性劣化，而且电阻率温度系数逐渐由正变负，导致不能用作电热材料。
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| 关 键 词： | 电热材料 成膜工艺条件 SnO2电热膜 化学热喷涂 硅扩散 石英管 半导体薄膜 |
| 文章编号： | 1000-1638(2003)01-0029-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月9日 |
A Study on Doping SnO2 Film as a Electrothermal Material——The Exploration of Technological Condition |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrothermal films of SnO_2 chemical heated spray silicon diffusion |
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