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超导HEB混频器的设计与制备
引用本文:王金平,康琳,王玉,钟杨音,梁敏,陈健,曹春海,许伟伟,吴培亨.超导HEB混频器的设计与制备[J].科学通报,2009,54(9):1218-1221.
作者姓名:王金平  康琳  王玉  钟杨音  梁敏  陈健  曹春海  许伟伟  吴培亨
作者单位:南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所, 南京 210093
基金项目:国家高技术研究发展计划(编号: 2006AA12Z120)和国家重点基础研究发展计划(编号: 2006CB601006, 2007CB310404)资助项目
摘    要:展示了一种基于超导NbN薄膜材料的HEB混频器的设计与制备工艺, 详细介绍了高阻硅衬底上的超薄NbN薄膜的生长技术、HEB器件的结构、超导微桥区和平面等角螺旋天线的阻抗匹配等内容. 测量研究了超导NbN HEB的电阻-温度(R-T?)曲线、不同温度下的电流-电压(I-V?)曲线以及HEB对太赫兹(THz)信号的响应特性. 用Y因子方法测量了HEB器件的噪声温度, 在2.5 THz的太赫兹波辐照下, 其最低噪声温度为2213 K.

关 键 词:HEB    超薄NbN薄膜    平面等角螺旋天线    噪声温度
收稿时间:2008-10-24
修稿时间:2008-12-28
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