| 氧对Er离子注入Si发光的影响 |
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| 引用本文： | 宋航.氧对Er离子注入Si发光的影响[J].科学通报,1995,40(18):1660-1660. |
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| 作者姓名： | 宋航 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所 长春130021
(宋航，李菊生，李仪，蒋红，刘学彦)，中国科学院长春物理研究所 长春130021(金亿鑫) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院基金资助项目 |
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| 摘 要： | 硅中掺杂三价稀土离子Er给出1.54μm波段的近红外发光的研究受到人们的重视.这一方面由于这一发射波段恰好落在石英光纤的最低损耗波段;另一方面由于硅器件集成工艺的成熟与完善为光电集成提供了坚实的技术基础.近来人们研究发现,Si中的氧杂质对增强离子注入Er~(3+)的发光有利,同时发现其它一些电负性较大,质量较轻的负离子也会增强Er~(3+)的发光.本文研究了Si中离子注入Er和氧的发光特性,首次报道了氧离子单一注入Si在1.60μm附近存在一宽带发射,并且讨论了Er、氧共注入Si中氧对Er~(3+)发光的影响.
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| 关 键 词： | 离子注入 光致发光 氧 硅 掺杂 铒 |
| 收稿时间： | 1994-09-23 |
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