GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性 |
| |
引用本文: | 刘磊,陈诺夫,汪宇,白一鸣,崔敏,高福宝.GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性[J].科学通报,2009,54(1):16-20. |
| |
作者姓名: | 刘磊 陈诺夫 汪宇 白一鸣 崔敏 高福宝 |
| |
作者单位: | ① 河北大学电子信息工程学院, 保定 071002;
② 中国科学院半导体研究所, 半导体材料科学重点实验室, 北京 100083 |
| |
摘 要: | 利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池, 并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究. 通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移, 这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应. 根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9, 13.7和17 mA/cm2, 且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm2·℃). 最后, 根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.
|
关 键 词: | 光谱响应 叠层电池 温度系数 |
收稿时间: | 2008-07-09 |
修稿时间: | 2008-10-05 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
|