| Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响 |
| |
| 引用本文： | 于广华,朱逢吾,姜宏伟,赖武彦.Cu的表面偏聚对NiFe/FeMn交换耦合场的影响[J].科学通报,2001,46(15):1258-1260. |
| |
| 作者姓名： | 于广华 朱逢吾 姜宏伟 赖武彦 |
| |
| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料物理系
2. 中国科学院物理研究所 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金重大资助项目（批准号：19890310） |
| |
| 摘 要： | 采有磁控溅射方法制备了分别以Ta和Ta/Cu作为缓冲层的两种NiFe/FeMn双层膜。实验发现，以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场比以Ta/Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换耦合场大。测量了这两种双层膜的织构、表面粗糙度和表面成分。结果表明以Ta/Cu为缓冲层时，Cu在NiFe层的表面偏聚是造成的NiFe/FeMn双层膜交换耦合场降低的重要原因。
|
| 关 键 词： | 交换耦合场 织构 表面粗糙度 表面偏聚 镍铁／镍锰双层膜 钽 铜 缓冲层 |
| 收稿时间： | 2001-03-26 |
| 修稿时间： | 2001年3月26日 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《科学通报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《科学通报》下载免费的PDF全文 |
