| 扩镁铌酸锂单晶的DTA表征 |
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| 引用本文： | 阙文修.扩镁铌酸锂单晶的DTA表征[J].科学通报,1995,40(23):2199-2199. |
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| 作者姓名： | 阙文修 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电子材料研究室 西安710049
(阙文修)，西安交通大学电子材料研究室 西安710049(姚熹) |
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| 基金项目： | 西安交通大学精细功能电子材料与器件开放实验室基金资助课题 |
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| 摘 要： | 根据Midwinter报道掺镁铌酸钾(MgO:LiNbO_3)的寻常光和非寻常光折射率比纯LiNbO_3的折射率小.Sudo等利用镁离子内扩散LiNbO_3单晶光纤实现了晶纤具有芯-包层波导结构.本文对扩镁LiNbO_3单晶进行了差热分析(DTA),结果显示这些扩镁LiNbO_3单晶的Curie温度首先随着扩散时间的增长而降低,当扩散时间超过一定限度后又开始上升,且出现第二个相变点.众所周知,LiNbO_3只有唯一的一个Curie点,所以出现第二个相变点,这可能是扩镁表层的富MgO层出现的新相的相变点,经X射线衍射分析(XRD)得到相同的结论.
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| 关 键 词： | 铌酸锂 单晶 镁离子 扩散 DTA 掺杂 |
| 收稿时间： | 1994-02-01 |
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