| 硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料研究进展 |
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| 引用本文： | 罗昔贤,曹望和,孙菲.硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料研究进展[J].科学通报,2008,53(9):1010-1016. |
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| 作者姓名： | 罗昔贤 曹望和 孙菲 |
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| 作者单位： | 大连海事大学物理系光电子技术研究所 大连116026 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(编号: 2004AA001530, 2006AA03A137)和大连海事大学青年教师科研资助及重点项目基金(编号: DLMU-ZL-200713)资助 |
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| 摘 要： | 简要评述了近年来碱土金属硅酸盐基质白光LED用宽激发带发光材料的研究结果与最近进展, 其中富Sr相的(Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4:Eu2+和(Sr, Ba, Ca, Mg) 3SiO5:Eu2+具有很宽的激发带, 对450~480 nm的蓝光有很强的吸收, 分别呈现绿色和橙红色发光, 是一种高效的蓝光LED芯片用白光LED发光材料, 其封装发光效率达到70~80 lm/W, 色温4600~11000 K, 可以达到同样芯片封装YAG:Ce的95%~105%. 而三元碱土金属硅酸盐基质MO(M=Sr, Ca, Ba)-Mg(Zn)O-SiO2发光材料在蓝紫光区(370~440 nm)有较强的激发性能, 能实现红、绿、蓝三色发光, 可应用于蓝紫光/紫外光LED芯片, 具有很高的显色性能, 可以避免不同体系基质材料混用造成的应用困难. 同时, 对该材料及其应用的研究现状和发展方向也进行了分析.
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| 关 键 词： | 白光LED 宽激发带 硅酸盐 |
| 收稿时间： | 2008-01-13 |
| 修稿时间： | 2008-03-26 |
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