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| Si的低温电学性质 | |
| 引用本文： | 周洁,王占国,刘志刚,王万年,尤兴凱.Si的低温电学性质[J].科学通报,1966,11(3):113-113. |
| 作者姓名： | 周洁 王占国 刘志刚 王万年 尤兴凱 |
| 作者单位： | 周洁 王占国 刘志刚 王万年 尤兴凱 |
| 摘 要： | 本文在20°—300°K研究了室温载流子浓度2×10~(12)—1×10~(20)cm~(-3)含硼或磷(砷)Si的电学性质。单晶Si材料是由直拉法与浮带法所制备的。研究用的样品均垂直拉晶方向111]切成16×4×2毫米~3的矩形。电极用冷压金丝或铝合金化经压触来达到欧姆接触。电阻<10~5欧姆的样品,用直流补偿法来进行测量,电阻>10~5欧姆的样品,则采用DC-1静电计电路来进行测量,前者实验误差为±5％,后者为±10％。从霍尔系数与电阻率的温度关系分析指出,对于较纯样品的硼受主能级的电离能为4.5×10~(-2)ev(位于价带上),磷施主能级的 |
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