| Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构 |
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| 引用本文： | 于广华,柴春林,朱逢吾,肖纪美.Ta/NiO/NiFe/Ta的磁性及界面的结构[J].科学通报,2000,45(17):1819-1821. |
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| 作者姓名： | 于广华 柴春林 朱逢吾 肖纪美 |
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| 作者单位： | 1. 北京科技大学材料物理系,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 利用磁控反应溅射方法以Ta作为缓冲层制备了Ta/NiO/NiFe/Ta薄膜, 磁性分析表明, 该结构薄膜的交换耦合场为9.6×10磢 103 A/m, 但是所需NiO的实际厚度增加了. 采用X射线光电子能谱研究了Ta/NiO/Ta界面, 并进行计算机谱图拟合分析. 结果表明界面反应是影响层间耦合的一个重要因素. 在Ta/NiO界面处发生了反应: 2Ta 5NiO = 5Ni Ta2O5, 使得界面有"互混层"存在. X射线光电子能谱深度剖析表明Ni NiO的混合层厚度约8~10 nm, 从而导致NiO钉扎实际厚度增加.
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| 关 键 词： | 界面反应 Ta／NiO／NiFe／Ta 巨磁电阻多层膜 磁性 |
| 收稿时间： | 2000-03-28 |
| 修稿时间： | 2000-06-19 |
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