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8-羟基喹啉铝膜的电学输运特性分析
引用本文:张立功,蒋大鹏,任新光,刘学彦,李亚君,吕安德,元金山.8-羟基喹啉铝膜的电学输运特性分析[J].科学通报,1997,42(20):2153-2157.
作者姓名:张立功  蒋大鹏  任新光  刘学彦  李亚君  吕安德  元金山
作者单位:中国科学院长春物理研究所 长春130021 (张立功,蒋大鹏,任新光,刘学彦,李亚君,吕安德),中国科学院长春物理研究所 长春130021(元金山)
基金项目:中国科学院激发态物理开放实验支持项目
摘    要:有机电致发光获得突破性进展以来,8-羟基喹啉铝(Alq)一直是人们关注的焦点.它具有良好的成膜特性、较高的发光效率和好的稳定性,促使有机电致发光器件进入实用阶段Alq是有机电致发光器件中广泛使用的材料,它作为发射层或电子输运层材料,用以研究有机电致发光的机理和探索高效率高稳定性的器件.Alq单层器件,在适当的电极(如镁、铝等)下,也能产生电致发光,且亮度-电流也同样满足线性关系,说明它与多层结构器件的发射机理一样,属复合型发射 但单层Alq膜层的输运特性与接触特性研究较少,而膜层的输运特性和接触特性又是决定Alq在高场(>10~5V/cm)下产生发射的关键问题. 另外,实验观测到单层Alq器件电致发光的衰减与其输运特性的变化有紧密的相关性.本文通过对电流-电压特性及电容-电压特性测试研究,初步了解单层Alq膜层的输运特性,并且对输运过程提出一个简单模型1 实验结果在经过清洗处理的电阻为150Ω/(?)的ITO衬底上,依次蒸发沉积8-羟基喹啉铝,金属镁、银. 沉积条件:8-羟基喹啉铝在4×10~3Pa真空下,以0.3nm/s速度沉积到未加热的ITO

关 键 词:羟基喹啉铝  电容  电压  电学输运  薄膜
收稿时间:1996-12-09
修稿时间:1997-06-27
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