| 在Pt/SrTiO_3衬底上制备高c轴取向PbTiO_3薄膜 |
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| 引用本文： | 卢朝靖.在Pt/SrTiO_3衬底上制备高c轴取向PbTiO_3薄膜[J].科学通报,1993,38(14):1273-1273. |
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| 作者姓名： | 卢朝靖 |
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| 作者单位： | 湖北大学物理系，武汉大学物理系，湖北大学物理系，武汉大学物理系，湖北大学物理系，湖北大学物理系，湖北大学物理系，湖北大学物理系 武汉 430062，武汉 430072，武汉 430062，武汉 430072，武汉 430062，武汉 430062，武汉 430062，武汉 430062 |
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| 基金项目： | 国家“863”高科技计划 |
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| 摘 要： | 铁电PbTiO_3薄膜是一种优良的热释电材料。特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,因为c轴就是极化轴,并且c轴取向的ε低(约为100),所以它的热释电系数大,介电常数小,热容量小,很有希望成为高性能指数,高灵敏度的红外传感器材料。国外用溅射法在MgO(100)单晶和外延的P_t膜上制备了高c轴取向的PbTi0_3薄膜,并报道了其优良的电学性质。新近发展起来的sol-gel方法与溅射法相比,制备铁电薄膜有组分易控制,设备简单,成
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| 关 键 词： | 薄膜 c轴取向 衬底 钛酸铅 |
| 收稿时间： | 1993-01-03 |
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