四针状纳米ZnO场发射性能及H2热处理效应 |
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引用本文: | 陈红升,齐俊杰,张跃,廖庆亮,张晓梅,黄运华.四针状纳米ZnO场发射性能及H2热处理效应[J].科学通报,2007,52(7):763-764. |
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作者姓名: | 陈红升 齐俊杰 张跃 廖庆亮 张晓梅 黄运华 |
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作者单位: | 1. 北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083 2. 北京科技大学材料物理与化学系,北京,100083;北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083 |
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基金项目: | 国家杰出青年科学基金(批准号:50325209)、国家自然科学基金(批准号:50572005)和国家自然科学基金国际合作与交流项目(批准号:50620120439)资助 |
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摘 要: | 通过热蒸发反应沉积的方法制备了大面积的四针状ZnO纳米结构材料. 四针状纳米结构具有细小的尖端尺寸, 为六方纤锌矿晶体结构. 在不同极间距下测试了样品的场发射性能, 其开启电场约为3.7 V/μm, 并利用Fowler-Nordheim方程对场发射特征进行了分析. 进一步采用在H2气氛中退火的方法优化了四针状纳米ZnO材料的场发射性能, 降低了开启电压. 研究结果表明, 四针状纳米ZnO体现出较低的开启电压和高的发射电流密度, 是具有广泛应用前景的冷阴极场发射材料.
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关 键 词: | 场发射 ZnO 热处理 纳米材料 |
收稿时间: | 2006-11-23 |
修稿时间: | 2006-11-232007-03-08 |
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