| La_2CuO_(4+δ)氧化物的低频弛豫内耗峰的研究 |
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| 引用本文： | 刘卫.La_2CuO_(4+δ)氧化物的低频弛豫内耗峰的研究[J].科学通报,1994,39(3):222-222. |
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| 作者姓名： | 刘卫 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学内耗开放实验室，中国科学技术大学内耗开放实验室，中国科学技术大学，中国科学技术大学内耗开放实验室 合肥230026，合肥230026，应用化学系，合肥230026，应用化学系，合肥230026 |
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| 摘 要： | La_2CuO_(4 δ)是La系氧化物超导体的母体化合物,该化合物经碱土离子的La位替代或增加超计量的氧(如通过高氧压、电化学氧化等途径)可转变为超导体.La_2CuO_(4 δ)是一种Moot绝缘体,晶胞中存在有Cu-O面,它表现出的三维反铁磁绝缘体性质与Cu位上的强烈库仑相互作用有关.X光及中子衍射结果表明:当温度T>530K时,La_2CuO_(4 δ)为四方结构,T<533K时它由四方结构转变为正交结构.Johnston等人的研究表明 La_2CuO_(4 δ)体系中的T-0转变,Neel温度及电磁输运性质与试样氧含量关系密切利用内耗的灵敏性,文献7,8]中曾对高T_c超导体YBCO中氧缺陷的运动和微结构的变化进行过较深入的研究.
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| 关 键 词： | La_2CuO_(4 δ) 弛豫内耗峰 氧空位 |
| 收稿时间： | 1993-01-27 |
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